Semicondutor vertical de óxido de metal (VMOS)

Autor: Louise Ward
Data De Criação: 4 Fevereiro 2021
Data De Atualização: 24 Junho 2024
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Semicondutor vertical de óxido de metal (VMOS) - Tecnologia
Semicondutor vertical de óxido de metal (VMOS) - Tecnologia

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Definição - O que significa Vertical Metal Oxide Semiconductor (VMOS)?

Um semicondutor de óxido de metal vertical (VMOS) é um tipo de transistor de semicondutor de óxido de metal (MOS), assim nomeado por causa do sulco em forma de V que é cortado verticalmente no substrato para atuar como a porta do transistor para permitir a entrega de um maior quantidade de corrente proveniente da fonte em direção ao "dreno" do dispositivo.


Um semicondutor vertical de óxido de metal também é conhecido como MOS de ranhura em V.

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Techopedia explica Vertical Metal Oxide Semiconductor (VMOS)

Um semicondutor vertical de óxido de metal é construído formando quatro camadas difusas diferentes em silicone e depois gravando uma ranhura em forma de V no meio verticalmente a uma profundidade controlada precisamente através das camadas. O eletrodo de porta é formado dentro do sulco em forma de V depositando metal, geralmente nitreto de gálio (GaN), sobre dióxido de silício no sulco.

O VMOS tem sido usado principalmente como um dispositivo de energia "stop-gap" até que sejam introduzidas geometrias melhores, como o UMOS ou o MOS da trincheira, o que cria um campo elétrico mais baixo na parte superior, o que leva a tensões máximas mais altas do que é possível com o Transistores VMOS.